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电源切换mos,3310场效应管,to263封装,KCB3310A参数-KIA MOS管
KCB3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流90A，采用先进的SGT技术制造，?极低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适...www.kiaic.com/article/detail/5929.html 2025-09-18
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变频器电路详解,变频器电路原理图-KIA MOS管
从R、S、T端输入的三相交流电，经三相整流桥（由二极管D1～D6构成）整流成直流电，电压为UD。电容器C1和C2是滤波电容器。6个IGBT管（绝缘栅双极性晶体管）V1～V6构成三相逆变桥，把直流电逆变成频率和电压任意可调的三相交流电。www.kiaic.com/article/detail/5928.html 2025-09-18
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电压跟随器电路,LM358电压跟随器-KIA MOS管
电压跟随器（单位增益放大器、缓冲放大器和隔离放大器）是一种电压增益为 1 的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号进行任何放大。称之为电压跟随器，是因为输出电压直接跟随输入电压，即输出电压与输入电压相同。如果 10V 作为输入进入运算放大器，则...www.kiaic.com/article/detail/5927.html 2025-09-18
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适配器充电器mos,1000v场效应管,KNP43100A参数引脚图-KIA MOS管
KNP43100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，在承受高电压和高电流方面表现出色；低反向传输电容，开关速度快，快速恢复体二极管，高效率低损耗，符合RoHS标准，稳定可靠；广泛应用于适配器、充...www.kiaic.com/article/detail/5926.html 2025-09-17
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温度控制器电路图,温控电路分享-KIA MOS管
电路由控制电路和主电路组成。主电路由三相断路器QF，交流接触器的主触点KM，三个双向晶闸管（VS1，vs2，vS3）及触发电路，加热器（EH1一EH3）等组成。控制电路主要包括选择开关SA，双向晶闸管vS4及触发电路，中间继电器K1,触发继电器K2，交流接触器的线圈KM，...www.kiaic.com/article/detail/5925.html 2025-09-17
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在线式ups原理,在线式ups电路-KIA MOS管
不间断电源是指在输入电源或市电发生故障时向负载提供应急电源的电力系统，被视为对输入电源中断的近瞬时保护。在线式UPS也被称为双变换器UPS或真正的UPS。它在输入电力通过整流器将交流电转换为直流电后，直接将其用于给电池充电和供电。同时，它通过逆变器将...www.kiaic.com/article/detail/5924.html 2025-09-17
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充电mos,1000v场效应管,to220f封装,KNF41100A参数-KIA MOS管
KNF41100A超高压场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗、高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠，符合RoHS，环保无铅；...www.kiaic.com/article/detail/5923.html 2025-09-16
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cmos反相器电路图,工作原理详解-KIA MOS管
CMOS反相器由PMOS和NMOS组成。PMOS在上，接电源，NMOS在下，接地。当输入高电平时，NMOS导通，PMOS截止，输出接地，也就是低电平。输入低电平时，PMOS导通，NMOS截止，输出接电源，高电平。www.kiaic.com/article/detail/5922.html 2025-09-16
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双向dcdc变换器,电路原理图-KIA MOS管
双向DC-DC变换器通常由高频变压器、IGBT/MOSFET等开关器件及储能元件（如电感、电容）组成。双向DC-DC变换电路通过电力电子器件实现直流电的双向传输与转换，通过控制开关管的通断时间实现能量流动方向的切换。www.kiaic.com/article/detail/5921.html 2025-09-16
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电动工具mos,2906场效应管参数,60v130a,KND2906A-KIA MOS管
KND2906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快，性能优越；无铅环保设备，优质可靠，?广泛应用于电源、电动工...www.kiaic.com/article/detail/5920.html 2025-09-12
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车载逆变器电路,工作原理图分享-KIA MOS管
逆变电路：逆变器的核心部分，由半导体开关元件（如MOSFET、IGBT等）组成的全桥或半桥电路构成。通过高频开关控制（PWM脉宽调制），将升压后的直流电转换为交流脉冲波形，如方波或修正正弦波。纯正弦波逆变器还需通过滤波电路将脉冲波形平滑为接近理想的正弦波...www.kiaic.com/article/detail/5919.html 2025-09-12
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升压降压电路工作原理,原理图-KIA MOS管
DC-DC有多种拓扑结构，如BUCK（降压）、BOOST（升压）、BUCK-BOOST（升降压）三大基本拓扑结构。升压降压电路（Boost和Buck电路）通过电感的储能与释放、开关元件的周期性通断及占空比调节实现电压转换，其中升压电路输出高于输入电压，降压电路反之。www.kiaic.com/article/detail/5918.html 2025-09-12
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电源切换mos,2908场效应管,to263封装mos,KNB2908B-KIA MOS管
KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，抗冲击能力强、性能优越，广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5917.html 2025-09-11
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mos管输出特性和转移特性,mos管特性曲线-KIA MOS管
N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势。P沟道增强型MOSFET：当VGS低于负阈值电压（-VTH）时，ID开始增加，曲线呈下降趋势。www.kiaic.com/article/detail/5916.html 2025-09-11